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特色工艺
特色IC
w88优德官网在特色工艺方面拥有凌驾30年的研发及制造经验，专注于Bipolar, BCD, HVCMOS, eNVM等模拟及数�；煜傻缏饭ひ占际�，在消费类电子，工业控制，汽车电子，新能源和智能电网等领域为宽大客户提供更具性价比的晶圆制造解决计划。
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BCD
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HV
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eNVM
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技术简介
BCD是一种单片集成工艺技术，将BJT、CMOS、DMOS器件集成到同一芯片，综合BJT器件高跨导、强负载驱动能力，CMOS器件集成度高以及DMOS器件高耐压、高效率及低功耗等优点，使BCD工艺大幅降低功耗，提高系统性能，提升可靠性和降低本钱
平台开发明状
w88优德官网BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术基于先进的CMOS工艺平台，开发出种种电压的高性能，低导通电阻LDMOS，以优越的性能和较低的本钱满足种种客户的需求。目前0.15μm 5~40V EPI BCD 、0.18μm 5~30V BCD及 0.8μm 700V BCD已实现大规模量产；90nm 40V BCD, 以及 0.15um 60V 和 120V BCD已开始试产。将连续往更优性能，更高电压，更先进节点生长。
工艺能力
低导通电阻，Deep Trench Isolation for 120V BCD, double resurf, selfalign Pbody, Thin Rox，fully isolatio
应用产品
广泛应用于电源治理，DC-DC，AC-DC，LED驱动，电机驱动，电池治理，物联网等产品开发。
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技术简介
LCD/LED等显示驱动芯片，要求驱动高压信号，无大功率要求，所以基于古板CMOS工艺技术的低本钱HV-CMOS工艺制程应运而生。HV CMOS是古板CMOS工艺向高压的延伸，HV CMOS将CMOS和高压MOS器件集成在同一芯片上来实现高压驱动，本钱较BCD工艺更低。
平台开发明状
w88优德官网HV CMOS技术基于先进的CMOS工艺平台，开发出多种电压的HV CMOS器件，以优越的性能和较低的本钱满足种种面板驱动IC产品需求。目今0.15μm 1.8/3.3/18V HV CMOS工艺开发完成，已开始试产；90nm 1.32/3.3/5/6/32V HV CMOS系列工艺开发中。将连续往更富厚电压，更先进节点生长。
工艺能力
穿栅工艺、共阱工艺、深STI深宽比填充、MIM工艺、铜铝混淆工艺
应用产品
广泛应用于电视机、电脑、消费类电子及可衣着设备的显示面板驱动等产品。
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技术简介
eNVM是在逻辑工艺平台基础上开发出带有非挥发存储器�？榈男酒�，w88优德官网提供多种嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，包括一次性可编程存储器（OTP）, 多次可编程存储器（MTP），电子包管丝一次性可编程存储器（e-fuse）。目前正在开发嵌入式闪存（e-flash）以及铁电存储器（FRAM） 技术
平台开发明状
w88优德官网提供多种嵌入式非易失性存储器（eNVM）技术，技术节点笼罩0.35μm到0.15μm量产工艺以及0.11μm到40nm在研工艺，为各工艺平台提供了可靠和高效的存储计划，目前0.11 μm e-flash工艺开发进行中，预计2024年完成，90nm e-flash预计2025年完成， 0.11μm FRAM平台先导客户产品导入乐成，2D产品已乐成量产，3D产品预计年底量产，产品涉及串行和并行的独立和嵌入式类型
工艺能力
Floating gate，HK工艺，深孔刻蚀工艺，3D铁电存储
应用产品
w88优德官网提供了完整的嵌入式非易失性存储技术与广泛IP支持，可应用于智能卡，微处理器，电源治理IC等, 广泛涉及消费电子，物联网，汽车电子和工业控制等领域。
